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电阻法碳化硅长晶设备优势
电阻法碳化硅长晶设备优势
产品详情

电阻法碳化硅长晶设备优势

• 减少径向温度梯度(减少晶体内应力/避免晶体开裂/晶体生长表面平滑(凸度减少))  

• 提高晶体生长速率

• 晶体生长时间短(长晶时间从100小时降低到60小时左右)

• 晶体有效高度厚(有效厚度 20 ~ 30 mm)

• 实现高质量大尺寸碳化硅晶体生长(6英寸、8英寸及以上)


碳化硅长晶设备参数:


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