电阻法碳化硅长晶设备优势

传统工艺的问题优晶光电的设备优势及解决方案

• 传统工艺径向温度梯度大，温场均匀性较难控制，导致产生晶体生长良率低、重复性差、规模化量产困难等问题。   

• 优晶光电已推出第四代机型UKING ERH SiC RV4.0电阻法碳化硅长晶设备（适用于6英寸、8英寸晶体），该机型有如下特点：

• 完美解决了感应炉温场均匀性差的技术难点，可实现径向和轴向温度梯度的精确控制，晶体内部缺陷少，良率高、重复性好；

• 相比传统工艺长达7-14天的制备时间，UKING ERH SiC RV4.0长晶速度快，生长时间大幅缩短，整个过程可控制在5天之内；

• 设备自动化程度高，设备生长过程中无需人为操作，规模化量产、扩产速度远高于其他工艺方法。

• UKING ERH SiC RV4.0炉内最高温度可达2250℃，超过碳化硅晶体正常生长所需的温度。电源精度±10w（万分之三），温度精度控制±0.3℃（万分之1.5），压力精度控制±0.5Pa，气体流量精度控制±0.01L/h，以上各项指标均超过国内其他碳化硅晶体生长设备。

碳化硅长晶设备参数：