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晶体生长设备

我们提供不同方法的蓝宝石单晶生长设备:

(1)泡生法。泡生法生长的原理和技术特点是:将晶体原料放入耐高温的坩埚中加热熔化,调整炉内温度场,使熔体上部处于稍高于熔点的状态;使籽晶杆上的籽晶接触熔融液面,待其表面稍熔后,降低表面温度至熔点,提拉并转动籽晶杆,使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提啦的过程中,生长出圆柱状晶体。

(2)导模法。将留有毛细管狭缝的模具放在熔体中,熔液借毛细作用上升到模具顶部,形成一层薄膜并向四周扩散,同时受种晶诱导结晶,模具顶部的边缘可控制晶体呈片状、管状或所需的某种几何形状产出,这种方法用于定型生长单晶材料。

我们还提供碳化硅(SiC)单晶和其他半导体材料生长设备。

晶体生长设备
电阻法碳化硅长晶设备
减少径向温度梯度(减少晶体内应力/避免晶体开裂/晶体生长表面平滑(凸度减少)) • 提高晶体生长速率 • 晶体生长时间短(长晶时间从100小时降低到60小时左右) • 晶体有效高度厚(有效厚度 20 ~ 30 mm) • 实现高质量大尺寸碳化硅晶体生长(6英寸、8英寸及以上)
泡生法蓝宝石生长设备
泡生法生长的原理和技术特点是:
将晶体原料放入耐高温的坩埚中加热熔化,调整炉内温度场,使熔体上部处于稍高于熔点的状态;
使籽晶杆上的籽晶接触熔融液面,待其表面稍熔后,降低表面温度至熔点,提拉并转动籽晶杆,
使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提啦的过程中,生长出圆柱状晶体。
导模法蓝宝石生长设备
可以用一个很小的籽晶从熔体中生长各种形状的Al2O3单晶体,
(2)单晶生长发生在毛细管的顶端面上,远离坩埚中的熔体表面。
(3)生长界面附近及生长晶体中能够很容易地用热屏蔽和冷却系统实现所预期的温度分布,这是因为固一液界面的位置始终是维持不变的。
(4)生长界面远离熔体表面,因而连续加料引起的热扰动以及加热功率变化引起的热扰动传递到毛细管顶端时已经衰减得很小了,不会对生长的晶体造成影响。
(5)一个坩埚中可以同时生长许多直径不等的单晶体。
水平定向凝固法蓝宝石生长设备
在凝固过程中采用强制手段,在凝固金属样未凝固熔体中建立起沿特定方向的温度梯度,
从而使熔体在气壁上形核后沿着与热流相反的方向,按要求的结晶取向进行凝固的技术。
该技术最初是在高温合金的研制中建立并完善起来的。
用、发展该技术最初是用来消除结晶过程中生成的横向晶界,从而提高材料的单向力学性能
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