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UKING电阻法碳化硅长晶设备及工艺
碳化硅作为全球先进的第三代半导体材料，具有耐高压、耐高频、耐高温、大功率等优良的物理特性，同时具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要应用前景，被广泛应用国民经济的各个领域，如宽带通讯、光伏发电、风力发电、新能源汽车、高速列车、高效电动机、半导体照明、智能电网、超高压输变电等众多行业，对人类科技的发展具有里程碑的意义。
公司与俄罗斯LETI法创始人Tairov及其团队开展技术合作，开发UKING电阻法大尺寸碳化硅长晶设备及工艺，目前公司可量产UKING电阻法大尺寸碳化硅设备及晶体，产出的4英寸及6英寸碳化硅单晶质量国内领先、国际先进。同时，公司在6英寸以上UKING电阻法大尺寸碳化硅长晶设备的设计、研发等领域也已取得突破性进展。
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晶体生长设备
传统工艺的问题优晶光电的设备优势及解决方案
• 传统工艺径向温度梯度大，温场均匀性较难控制，导致产生晶体生长良率低、重复性差、规模化量产困难等问题。
• 优晶光电已推出第四代机型UKING ERH SiC RV4.0电阻法碳化硅长晶设备（适用于6英寸、8英寸晶体），该机型有如下特点：
• 完美解决了感应炉温场均匀性差的技术难点，可实现径向和轴向温度梯度的精确控制，晶体内部缺陷少，良率高、重复性好；
泡生法蓝宝石生长设备
泡生法生长的原理和技术特点是：
将晶体原料放入耐高温的坩埚中加热熔化，调整炉内温度场，使熔体上部处于稍高于熔点的状态；
使籽晶杆上的籽晶接触熔融液面，待其表面稍熔后，降低表面温度至熔点，提拉并转动籽晶杆，
使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上，在不断提啦的过程中，生长出圆柱状晶体。
导模法蓝宝石生长设备
可以用一个很小的籽晶从熔体中生长各种形状的Al2O3单晶体，
(2)单晶生长发生在毛细管的顶端面上，远离坩埚中的熔体表面。
(3)生长界面附近及生长晶体中能够很容易地用热屏蔽和冷却系统实现所预期的温度分布，这是因为固一液界面的位置始终是维持不变的。
(4)生长界面远离熔体表面，因而连续加料引起的热扰动以及加热功率变化引起的热扰动传递到毛细管顶端时已经衰减得很小了，不会对生长的晶体造成影响。
(5)一个坩埚中可以同时生长许多直径不等的单晶体。
水平定向凝固法蓝宝石生长设备
在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属样未凝固熔体中建立起沿特定方向的温度梯度，
从而使熔体在气壁上形核后沿着与热流相反的方向，按要求的结晶取向进行凝固的技术。
该技术最初是在高温合金的研制中建立并完善起来的。
采用、发展该技术最初是用来消除结晶过程中生成的横向晶界，从而提高材料的单向力学性能。