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碳化硅作为全球先进的第三代半导体材料,具有耐高压、耐高频、耐高温、大功率等优良的物理特性,同时具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要应用前景,被广泛应用国民经济的各个领域,如宽带通讯、光伏发电、风力发电、新能源汽车、高速列车、高效电动机、半导体照明、智能电网、超高压输变电等众多行业,对人类科技的发展具有里程碑的意义。
公司与俄罗斯LETI法创始人Tairov及其团队开展技术合作,开发UKING电阻法大尺寸碳化硅长晶设备及工艺,目前公司可量产UKING电阻法大尺寸碳化硅设备及晶体,产出的4英寸及6英寸碳化硅单晶质量国内领先、国际先进。同时,公司在6英寸以上UKING电阻法大尺寸碳化硅长晶设备的设计、研发等领域也已取得突破性进展。